O fabricante de semicondutores Nexperia anunciou recentemente planos para investir US$ 200 milhões (aproximadamente 184 milhões de euros) no desenvolvimento de produtos semicondutores de banda larga (WBGs) de próxima geração, como carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), e estabelecer infraestrutura de produção em sua fábrica de Hamburgo. Enquanto isso, a capacidade de produção de diodos e transistores de silício (Si) em fábricas de wafers aumentará.
Foi relatado que, para atender à crescente demanda de longo prazo por semicondutores de energia de alta eficiência, a Ansei Semiconductor começará a pesquisar e produzir tecnologias de SiC, GaN e Si na Alemanha a partir de junho de 2024.
A primeira linha de produção de transistores GaN D-Mode de alta tensão e diodos SiC foi colocada em uso em junho de 2024. O próximo marco será o estabelecimento de uma linha de produção de MOSFET SiC de 200 mm e HEMT GaN de baixa tensão. Essas linhas de produção serão concluídas na fábrica de Hamburgo nos próximos dois anos. Enquanto isso, esse investimento também ajudará a automatizar ainda mais a infraestrutura existente da fábrica de Hamburgo e a expandir a capacidade de produção de silício, mudando gradualmente para o uso de wafers de 200 mm.
A Ansei Semiconductor destacou que esta medida demonstra totalmente seu forte apoio às principais tecnologias nos campos de eletrificação e digitalização. "Os semicondutores SiC e GaN permitem que aplicações de alta potência, como data centers, operem com excelente eficiência, e também são componentes essenciais de aplicações de energia renovável e veículos elétricos. Essas tecnologias de banda larga têm enorme potencial e estão se tornando cada vez mais importantes para atingir as metas de descarbonização."
Vale a pena notar que esse investimento é outro marco importante na história centenária da fábrica Lockstadt da Ansch Semiconductor em Hamburgo. É relatado que desde o estabelecimento da Valvo Radio ö hrenfabrik em 1924, a fábrica tem se desenvolvido continuamente e agora suporta cerca de um quarto da demanda global por diodos e transistores de pequeno sinal.